SSD ateitis ne tokia jau ir šviesi?

Kalifornijos universiteto mokslininkai remdamiesi atliktais tyrimais pareiškė, kad kietosios būsenos kaupiklių (angl. SSD) ateitis gali būti ne tokia jau šviesi, kaip kad buvo manoma. Jie nustatė, kad šie,„flash” tipo atmintį turintys, įrenginiai evoliucijos metu susidurs su problemomis, kurių įveikti nesugebės.

San Diego miesto mokslininkų teigimu, tobulinant „flash” atminties technologinį gamybos procesą, atsiras ne tik geroji, bet ir blogoji medalio pusės. Šalia gamybos kaštų mažinimo bei talpos didinimo pasiekimų greta atsiras neigiamas šalutinis efektas – spartos mažėjimas, pažymi IT portalas Computerworld.com.

Mokslininkai ištyrė šešių gamintojų 45 skirtingus “flash” atminties lustus, kurių technologinis procesas svyravo nuo 72 nm iki 25 nm. Tyrimas atskleidė, jog tobulėjant gamybos technologijai SSD susiduria su atsako laiko (angl. latency) bei atsirandančių klaidų dažnumo (angl. error rate) problemomis. SLC (angl. Single Level Cell) NAND atmintis nuo šių problemų kentėjo mažiausiai, tuo tarpu MLC (Multi Level Cell) bei TLC (Triple Level Cell) atmintys degradavo labiausiai.

Pritaikę gautus rezultatus, mokslininkai paskaičiavo, kad pasiekus 6,5 nm techprocesą, kuris turėtų būti prieinamas 2024 metais, SSD įrenginių rašymo bei skaitymo gaišties laikai MLC atmintyje padvigubės, o TLC atmintyje – padidės net 2,5 karto. “2024-siais TLC tipo atmintį turintys SSD kaupikliai gebės sutalpinti 16 TB informacijos, kai tuo tarpu MLC SSD – 4 TB”, - teigia tyrimų grupė.

Nors 6,5 nm techprocesu paremti SSD išlaikys gana didelį išvesties/įvesties operacijų per sekundę greitį (angl. IOPS) ir patenkins daugelio vartotojų reikmes, tam tikroms programoms SSD kaupiklius taps sunku vadinti perspektyvia technologija.

Visą atliktą tyrimą, pavadinimu “niūri NAND flash atminties ateitis” (angl. The Bleak Future of NAND Flash Memory), galite rasti čia.

http://cseweb.ucsd.edu/users/swanson/papers/FAST2012BleakFlash.pdf

http://technews.lt/upload/Read-Write%20Latency%20Screen%20shots.jpg